Мы часто читаем, что новые процессоры производятся по технологии FinFET. Новый процесс был создан из-за эффектов короткого канала в традиционных планарных транзисторах, и FinFET (полевой транзистор «плавникового» типа), обеспечивает дальнейшее масштабирование напряжения, но с уменьшением узла процесса, электростатические эффекты начали вызывать проблемы. Решением было найдено – нанопроволоки GAA (Gate All Around), ограничивающие эти эффекты. Но их, по-видимому, довольно трудно интегрировать в кремний. Поэтому компания Samsung использовала тонкие слои (нанолистики) вместо нанопроводов, обеспечивающих больший ток на дорожку в их реализации GAA, так называемый MBCFET (Multi-Bridge Channel Field-Effect Transistor).
Читать далее «Технология MBCFET, делающая возможным переход к 3 нм техпроцессу в 2021 году»